单向可控硅 BT169 SOT-223-3L 贴片晶闸管
单向可控硅 BT169的引脚图：
单向可控硅 BT169的特点：
PNPN 四层结构的硅单向器件
门极灵敏触发
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
单向可控硅 BT169的极限值：
TCASE=25℃
| 符合 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 0.8 | A |
| IT(AV) | 通态平均电流 | 0.5 | |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 8 | |
| I2t | I2t 值 | 0.32 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 0.2 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | 0.5 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 0.1 | |
| TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作温度 | -40~+110 |
单向可控硅 BT169的电特性：
| 符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| IGT | 门极触发电流 | 10 | 200 | μA | |
| VGT | 门极触发电压 | 0.8 | V | ||
| VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |||
| IH | 维持电流 | 3 | mA | ||
| IL | 擎住电流 | 4 | |||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 10 | V/μs | ||
| VTM | 通态压降 | 1.5 | V | ||
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | 5 | μA | ||
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃ | 100 |
扫二维码进入手机网站