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    Product Categories
    10N10 SOP-8 100V NMOSFET
    10N10 SOP-8 100V NMOSFET
    产品品牌:宇芯微
    产品类型:中低压MOS管
    产品型号:10N10
    产品封装:SOP-8
    产品标题:国产替代MOS管 10N10 SOP-8 100V NMOSFET 照明用场效应管
    咨询热线:0769-89027776

    产品详情


    国产替代MOS管 10N10 SOP-8 100V NMOSFET 照明用场效应管



    国产替代MOS管 10N10的产品特点:

    • VDS=100V

    • ID=12.3A

    • RDS(ON)<110mΩ@VGS=10V(Type:93mΩ)

    • 封装:SOP-8



    国产替代MOS管 10N10的应用领域:

    • 汽车照明

    • 负载开关

    • PSE



    国产替代MOS管 10N10的极限参数:

    (如无特殊说明,TC=25℃)

    • 漏极-源极电压 VDS:100V

    • 栅极-源极电压 VGS:±20V

    • 漏极电流-连续 ID:12.3A

    • 漏极电流-脉冲 IDM:24A

    • 总耗散功率 PD:30W

    • 结到环境的热阻 RθJA:85℃/W

    • 结到管壳的热阻 RθJC:5.1℃/W

    • 存储温度 TSTG:-55~150℃

    • 工作结温 TJ:-55~150℃



    国产替代MOS管 10N10的电特性:

    (如无特殊说明,Tj=25℃)

    符号
    参数MIN值TYP值MAX值单位
    BVDSS漏极-源极击穿电压100107
    V
    RDS(ON)静态漏源导通电阻

    VGS=10V,ID=5A


    93110
    静态漏源导通电阻

    VGS=4.5V,ID=3A


    100140
    VGS(th)
    栅极开启电压11.52.5V
    IGSS栅极漏电流

    ±100nA
    Qg栅极电荷
    12
    nC
    Qgs栅源电荷密度

    2.2


    Qgd栅漏电荷密度
    2.5
    Ciss输入电容
    645
    pF
    Coss输出电容
    38
    Crss反向传输电容
    33
    td(on)开启延迟时间
    7
    ns
    tr开启上升时间

    5


    td(off)关断延迟时间
    16
    tf
    开启下降时间
    6


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