• 宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,国产可控硅,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
    当前位置: 首页 ? 产品中心 ? 宇芯微产品 ? MOS管 ? 中低压MOS管 ? 10N06 SOT223-3L 60V低压NMOS管

    产品分类

    Product Categories
    10N06 SOT223-3L 60V低压NMOS管
    10N06 SOT223-3L 60V低压NMOS管
    产品品牌:宇芯微
    产品类型:中低压MOS管
    产品型号:10N06
    产品封装:SOT223-3L
    产品标题:10N06 SOT223-3L 60V低压NMOS管 MOSFET应用 小封装场效应管
    咨询热线:0769-89027776

    产品详情


    10N06 SOT223-3L 60V低压NMOS管 MOSFET应用 小封装场效应管



    60V低压NMOS管 10N06的产品特点:

    • VDS=60V

    • ID=10A

    • RDS(ON)<36mΩ@VGS=10V(Type:28mΩ)

    • 封装:SOT223-3L



    60V低压NMOS管 10N06的极限值:

    (如无特殊说明,TJ=25℃)

    • 漏极-源极电压 VDS:60V

    • 栅极-源极电压 VGS:±20V

    • 漏极电流-连续 ID:10A

    • 漏极电流-脉冲 IDM:30A

    • 总耗散功率 PD:31.3W

    • 单脉冲雪崩能量 EAS:22mJ

    • 结到环境的热阻 RθJA:60℃/W

    • 结到管壳的热阻 RθJC:4℃/W

    • 存储温度 TSTG:-55~175℃

    • 工作结温 TJ:-55~175℃



    60V低压NMOS管 10N06的电特性:

    (如无特殊说明,TJ=25℃)

    符号
    参数MIN值TYP值MAX值单位
    BVDSS漏极-源极击穿电压6065
    V
    RDS(ON)静态漏源导通电阻

    VGS=10V,ID=15A


    2836
    静态漏源导通电阻

    VGS=4.5V,ID=7A


    3845
    VGS(th)
    栅极开启电压1.21.62.5V
    IGSS栅极漏电流

    ±100nA
    gfs正向跨导
    25.3

    S
    Qg栅极电荷
    19
    nC
    Qgs栅源电荷密度

    2.5


    Qgd栅漏电荷密度
    5
    Ciss输入电容
    1027
    pF
    Coss输出电容
    65
    Crss反向传输电容
    46
    td(on)开启延迟时间
    2.8
    ns
    tr开启上升时间

    16.6


    td(off)关断延迟时间
    21.2
    tf
    开启下降时间
    5.6


    产品推荐

    Product recommendations
    *本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
    技术支持:东莞网站建设
    城市分站广东北京天津河北山西内蒙古自治区辽宁吉林黑龙江上海江苏浙江安徽福建江西山东河南湖北湖南广西海南重庆四川贵州云南西藏陕西甘肃青海宁夏新疆北京天津石家庄太原呼和浩特沈阳长春哈尔滨上海南京杭州合肥福州南昌济南郑州武汉长沙广州韶关深圳珠海汕头佛山江门湛江茂名肇庆惠州梅州汕尾河源阳江清远东莞中山潮州揭阳云浮南宁海口重庆成都贵阳昆明拉萨西安兰州西宁银川乌鲁木齐
    免费久久99精品国产自在现,人妻出轨合集500篇最新,精品无码你懂的在线观看,朋友的尤物人妻李婷全文阅读