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    10N04 SOT223-3L 40V/10A 低内阻NMOS管
    10N04 SOT223-3L 40V/10A 低内阻NMOS管
    产品品牌:宇芯微
    产品类型:中低压MOS管
    产品型号:10N04
    产品封装:SOT223-3L
    产品标题:20mΩ 10N04 SOT223-3L 40V/10A 低内阻NMOS管 汽车照明MOS管
    咨询热线:0769-89027776

    产品详情


    20mΩ 10N04 SOT223-3L 40V/10A 低内阻NMOS管 汽车照明MOS管



    低内阻NMOS管 10N04的产品特点:

    • VDS=40V

    • ID=10A

    • RDS(ON)<20mΩ@VGS=10V(Type:15mΩ)

    • 封装:SOT223-3L



    低内阻NMOS管 10N04的产品应用:

    • 汽车照明

    • 负载开关

    • UPS 不间断电源



    低内阻NMOS管 10N04的极限值:

    (如无特殊说明,TC=25℃)

    • 漏极-源极电压 VDS:40V

    • 栅极-源极电压 VGS:±20V

    • 漏极电流-连续 ID:10A

    • 漏极电流-脉冲 IDM:50A

    • 总耗散功率 PD:1.9W

    • 单脉冲雪崩能量 EAS:31mJ

    • 雪崩电流 IAS:25A

    • 结到环境的热阻 RθJA:65℃/W

    • 存储温度 TSTG:-55~150℃

    • 工作结温 TJ:-55~150℃



    低内阻NMOS管 10N04的电特性:

    (如无特殊说明,TJ=25℃)

    符号
    参数MIN值TYP值MAX值单位
    BVDSS漏极-源极击穿电压4044
    V
    RDS(ON)静态漏源导通电阻

    VGS=10V,ID=7A


    1520
    静态漏源导通电阻

    VGS=4.5V,ID=6A


    1825
    VGS(th)
    栅极开启电压1
    2.5V
    IGSS栅极漏电流

    ±100nA
    gfs正向跨导
    32

    S
    Qg栅极电荷
    9.8
    nC
    Qgs栅源电荷密度

    2.8


    Qgd栅漏电荷密度
    3.9
    Ciss输入电容
    1013
    pF
    Coss输出电容
    107
    Crss反向传输电容
    76
    td(on)开启延迟时间
    2.8
    ns
    tr开启上升时间

    40.4


    td(off)关断延迟时间
    22.8
    tf
    开启下降时间
    6.4


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