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    10H10 SOP-8 双N沟道MOS管
    10H10 SOP-8 双N沟道MOS管
    产品品牌:宇芯微
    产品类型:中低压MOS管
    产品型号:10H10
    产品封装:SOP-8
    产品标题:100V/12A 中压场效应管 10H10 SOP-8 双N沟道MOS管 快充用MOSFET
    咨询热线:0769-89027776

    产品详情


    100V/12A 中压场效应管 10H10 SOP-8 双N沟道MOS管 快充用MOSFET



    快充用MOSFET 10H10的特点:

    • VDS=100V

    • ID=12A

    • RDS(ON)<100mΩ@VGS=10V(Type:72mΩ)

    • 封装:SOP-8



    快充用MOSFET 10H10的极限值:

    (如无特殊说明,TC=25℃)

    • 漏极-源极电压 VDS:100V

    • 栅极-源极电压 VGS:±20V

    • 漏极电流-连续 ID:12A

    • 漏极电流-脉冲 IDM:36A

    • 总耗散功率 PD:1.5W

    • 单脉冲雪崩能量 EAS:6.1mJ

    • 结到环境的热阻 RθJA:85℃/W

    • 结到管壳的热阻 RθJC:5.1℃/W

    • 存储温度 TSTG:-55~150℃

    • 工作结温 TJ:-55~150℃



    快充用MOSFET 10H10的电特性:

    (如无特殊说明,TJ=25℃)

    符号
    参数MIN值TYP值MAX值单位
    BVDSS漏极-源极击穿电压100107
    V
    RDS(ON)静态漏源导通电阻

    VGS=10V,ID=5A


    72100
    静态漏源导通电阻

    VGS=4.5V,ID=3A


    85120
    VGS(th)
    栅极开启电压1.222.5V
    IGSS栅极漏电流

    ±100nA
    gfs正向跨导
    14

    S
    Qg栅极电荷
    11.9
    nC
    Qgs栅源电荷密度

    2.8


    Qgd栅漏电荷密度
    1.7
    Ciss输入电容
    1100
    pF
    Coss输出电容
    55
    Crss反向传输电容
    40
    td(on)开启延迟时间
    3.8
    ns
    tr开启上升时间

    25.8


    td(off)关断延迟时间
    16
    tf
    开启下降时间
    8.8


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