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    9N20 TO-220 插件中压MOS管
    9N20 TO-220 插件中压MOS管
    产品品牌:宇芯微
    产品类型:中低压MOS管
    产品型号:9N20
    产品封装:TO-220
    产品标题:替代MOSFET 9N20 TO-220 插件中压MOS管 200V/9A UPS电源MOS管
    咨询热线:0769-89027776

    产品详情


    替代MOSFET 9N20 TO-220 插件中压MOS管 200V/9A UPS电源MOS管



    替代MOSFET 9N20的特点:

    • VDS=200V

    • ID=9A

    • RDS(ON)<300mΩ@VGS=10V(Type:230mΩ)

    • 封装:TO-220



    替代MOSFET 9N20的应用领域:

    • 不间断电源(UPS)

    • 功率因数校正(PFC)



    替代MOSFET 9N20的极限值:

    (如无特殊说明,TC=25℃)

    符号参数数值单位
    VDS漏极-源极电压200
    V
    VGS栅极-源极电压±20
    ID漏极电流-连续9A
    IDM漏极电流-脉冲36
    EAS单脉冲雪崩能量100mJ
    IAR
    雪崩电流7.5A
    PD总耗散功率74W
    RθJA结到环境的热阻62.5℃/W
    RθJC结到管壳的热阻1.7
    TSTG存储温度-55~+150
    TJ工作结温-55~+150



    替代MOSFET 9N20的电特性:

    (如无特殊说明,TJ=25℃)

    符号
    参数MIN值TYP值MAX值单位
    BVDSS漏极-源极击穿电压200222
    V
    RDS(ON)静态漏源导通电阻

    VGS=10V,ID=4.5A


    0.230.3Ω
    VGS(th)
    栅极开启电压23.54V
    IGSS栅极漏电流

    ±100nA
    Qg栅极电荷
    23
    nC
    Qgs栅源电荷密度

    2.5
    Qgd栅漏电荷密度
    10
    Ciss输入电容
    684
    pF
    Coss输出电容
    103
    Crss反向传输电容
    37
    td(on)开启延迟时间
    12
    ns
    tr开启上升时间

    22


    td(off)关断延迟时间
    50
    tf
    开启下降时间
    48


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