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    高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252
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    产品品牌:美国福斯特
    产品类型:高压功率MOS管
    产品型号:FIR9N65LG
    产品封装:TO-252
    产品标题:高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252 贴片MOSFET
    咨询热线:0769-89268116
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    产品详情


    高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252 贴片MOSFET



    高压功率MOS管 FIR9N65LG的引脚图:

    blob.png



    高压功率MOS管 FIR9N65LG的极限值:

    参数符号数值单位
    漏极-源极电压VDSS650V
    栅极-源极电压VGSS+30
    漏极电流-连续
    ID9A
    漏极电流-脉冲IDM18
    功耗PD55W
    结温TJ+150
    存储温度TSTG-55~+150



    高压功率MOS管 FIR9N65LG的电特性:

    符号参数测试条件最小值典型值最大值单位
    BVDSS
    漏极-源极击穿电压VGS=0V,ID=250μA650

    V
    IDSS
    零栅压漏极电流VDS=650V,VGS=0V

    10μA
    RDS(ON)
    静态漏源导通电阻
    VGS=10V,ID=4.5A


    1Ω
    VGS(TH)栅极开启电压
    VDS=VGS,ID=250μA
    2
    4V



    高压功率MOS管 FIR9N65LG的封装外形尺寸:

    blob.png


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